

Размещение устройства: Плата Расширения. Форм-фактор: M.2 (2280). Емкость накопителя: 512 ГБ. Поддерживаемые каналы данных: PCIe NVMe 3.0 x4.Технология памяти: NAND флеш. Флэш-технология ячейки памяти: QLC. Максимальная скорость случайного чтения: 90000 IOPS. Максимальная скорость случайной записи: 220000 IOPS. Максимальная скорость последовательного чтения: 1500 МБ/сек.. Максимальная скорость последовательной записи: 1000 МБ/сек.. Суммарное число записываемых байтов (TBW): 100 TB. Количество интерфейсов M.2: 1. Вероятность неисправимых ошибок чтения: 1 per 10^15. Средняя наработка на отказ: 1600000 ч. Функциональные особенности SSD: AES 256-bit Encryption
End-to-End Data Protection
New design.